Сенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрикСенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрик
электромеханические, электронные и системные компоненты
(812) 441-36-38; (495) 755-93-29
 
Найти:    

FRAM-память от Fujitsu

FRAM (англ. Ferroelectric RAM, сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом, сегнетоэлектрическое ОЗУ) – энергонезависимая память с низким энергопотреблением и быстрым временем доступа к данным. FRAM сочетает в себе преимущества энергонезависимой памяти (Flash и EEPROM) и быстрого ОЗУ (SRAM и DRAM).
Одной из уникальных особенностей FRAM является энергонезависимый длительный срок хранения информации (более 10 лет).

Особенности:
  • Быстрая перезапись информации: время записи цикла: 150нс ( для сравнения – время записи цикла у EEPROM – 5мс)
  • Количество циклов записи: до 10 триллионов циклов (1013) (для сравнения - у EEPROM и Flash до 106).
  • Низкое энергопотребление (до 4мА в режиме чтения, до 4мА в режиме записи)
  • Устойчива к радиации и магнитному полю
  • Защита хранимых данных

Артикул Плотность памяти Напряжение питания Рабочая частота (MAX) Рабочая температура Цикл чтения-записи Гарантия хранения данных Упаковка Описание
MB85R4M2T 4Mbit (256Kx16bit) 1.8 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) TSOP-44 Download - ENG
MB85R4001A 4Mbit (512Kx8bit) 3.0 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1010 times
(10 billion times)
10yrs (+55°C) TSOP-48 Download - ENG
MB85R4002A 4Mbit (256Kx16bit) 3.0 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1010 times
(10 billion times)
10yrs (+55°C) TSOP-48 Download - RUS
Download - ENG
MB85R1001A 1Mbit (128Kx8bit) 3.0 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1010 times
(10 billion times)
10yrs (+55°C) TSOP-48 Download - ENG
MB85R1002A 1Mbit (64Kx16bit) 3.0 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1010 times
(10 billion times)
10yrs (+55°C) TSOP-48 Download - ENG
MB85R256F 256Kbit 2.7 to 3.6V 150ns -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) TSOP-28
SOP-28
Download - ENG


Артикул Плотность памяти Напряжение питания Рабочая частота (MAX) Рабочая температура Цикл чтения-записи Гарантия хранения данных Упаковка Описание
MB85RQ4ML 4Mbit (256Kx16bit) 1.7 to 1.95V 108MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-16 Download - ENG
MB85RS2MT 2Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8
DIP-8
Download - ENG
2.7 to 3.6V 30MHz(*1)
MB85RS1MT 1Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8
WL-CSP-8
Download - ENG
2.7 to 3.6V 25MHz(*1)
MB85RS512T 512Kbit 1.8 to 3.6V 25MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
2.7 to 3.6V 30MHz(*1)
MB85RS256B 256Kbit 2.7 to 3.6V 33MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RS128B 128Kbit 2.7 to 3.6V 33MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RS64V 64Kbit 3.0 to 5.5V 20MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RS64 64Kbit 2.7 to 3.6V 20MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RS16 16Kbit 2.7 to 3.6V 20MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RS16N 16Kbit 2.7 to 3.6V 20MHz -40 to +95°C 1012 times (@85°C)
1010 times (@95°C)
10yrs (+95°C) SOP-8
SON-8
Download - ENG
MB85RDP16LX 16Kbit 1.65 to 1.95V 15MHz -40 to +105°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+105°C) SON-8 Download - ENG

Артикул Плотность памяти Напряжение питания Рабочая частота (MAX) Рабочая температура Цикл чтения-записи Гарантия хранения данных Упаковка Описание
MB85RC1MT 1Mbit 1.8 to 3.6V 3.4MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RC512T 512Kbit 1.8 to 3.6V 3.4MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RC256V 256Kbit 2.7 to 5.5V 1MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RC128A 128Kbit 2.7 to 3.6V 1MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RC64TA 64Kbit 1.8 to 3.6V 3.4MHz -40 to +85°C 1013 times
(10 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8
SON-8
Download - ENG
MB85RC64A 64Kbit 2.7 to 3.6V 1MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
MB85RC64V 64Kbit 3.0 to 4.5V 400kHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
4.5 to 5.5V 1MHz
MB85RC16 16Kbit 2.7 to 3.6V 1MHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8
SON-8
Download - RUS
Download - ENG
MB85RC16V 16Kbit 3.0 to 4.5V 400kHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs (+85°C) SOP-8 Download - ENG
4.5 to 5.5V 1MHz
MB85RC04V 4Kbit 3.0 to 4.5V 400kHz -40 to +85°C 1012 times
(1 trillion times)
10yrs(+85°C) SOP-8 Download - ENG
4.5 to 5.5V 1MHz


Технология FRAM в отличие от традиционных микросхем энергонезависимой памяти Flash и EEPROM содержимое ячейки FRAM хранится не в за ряде на затворе. Информация, логический 0 или 1, содержится в поляризации сегнетоэлектрика - цирконат-титаната свинца PZT (Pb (ZrTi)O3). Тонкая пленка сегнетоэлектрика располагается между двумя электродами, как в конденсаторе.

Ячейка памяти FRAM имеет такую же структур у, что и DRAM: она состоит из транзистора и конденсатора. Ячейку FRAM отличает то, что конденсатор содержит ферроэлектрический д иэлектрик. Поскольку накопления большого заряда не происходит, отпадает необходим ость использования повышающих преобразователей напряжения. Таким образом, FRAM пот ребляет меньше энергии, чем Flash или EEPROM.

Особенности и преимущества FRAM
Содержимое ячейки сегнетоэлектрической памяти сохраняется при отсутствии питания. Соответственно, не требуется использования батарей резервного питания, как в случае SRAM. Уменьшается размер платы, расход материалов и стоимость обслуживания, а также потребление конечного устройства. Поскольку FRAM работает на основе произвольного доступа, процесс записи производится без задержки, хотя в энергонезависимой памяти других типов на это требуется время.
Время доступа для чтения и записи составляет десятки или сотни нс, как и в ОЗУ. В случае резкой потери питания FRAM успеет завершить запись до полного отключения системы, сохранив целостность данных.
Сегнетоэлектрическая память долговечна и выдерживает до 1013 циклов перезаписи. Для сравнения: максимальное количество циклов перезаписи для ячеек Flash и EЕPROM составляет от 100 тыс. до 1 млн. Срок службы FRAM практич ески неограничен. Благодаря этим особенностям ячейки FRAM можно использовать для записи данных в режиме реального времени.

Во многих приложениях FRAM используется одновременно вместо SRAM и EЕPROM, что упрощает а рхитектуру системы. К тому же FRAM характеризуется высокой стойкостью к радиоактивному излучению ?-, ?- и ?-частиц. Это позволяет использовать FRAM в системах медицинского и аэрокосмического назначения, а также в оборудовании для пищевой промышленности, где излучение применяется для дезинфекции.
Konkur Electric
197342, г. Санкт-Петербург,
Белоостровская, д. 28, офис 428

105484, г. Москва,
ул. 16-я Парковая, д.21,
корп.1, офис 413
Copyright © ЗАО «Конкур электрик» - электромеханические, электронные и системные компоненты, термопринтеры, сенсорные экраны, touch screen
Частичное или полное копирование материала, размещенного на сайте, без согласия ЗАО «Конкур электрик» запрещено.
Поиск электронных компонентов
Поиск электронных компонентов