Сенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрик Сенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрик
электромеханические, электронные и системные компоненты
(812) 441-36-38; (495) 755-93-29
 
Найти:    
Наши публикации

Последовательная NOR флеш-память со сверхнизким напряжением питания


Компания Winbond Electronics предлагает микросхемы последовательной флеш-памяти типа NOR серий W25QxxNE и W25QxxND с напряжением питания 1,2 и 1,5В соответственно. Это наименьшие в отрасли значения напряжения питания для такого типа флеш-памяти. Новые микросхемы, поставляемые в компактных 8-выводных корпусах, входят в состав семейства последовательной флеш-памяти SpiFlash и предназначены для мобильных носимых устройств, приложений Интернета вещей и других систем, для которых важны низкая потребляемая мощность и миниатюрные размеры.

Микросхемы обеспечивают скорость передачи данных до 52 Мбайт/с, что в сочетании с низковольтным питанием делает их оптимальным выбором для широкого спектра потребительских и промышленных приложений с батарейным питанием. Высокая производительность микросхемы позволяет применять их для прямого исполнения программного кода без предварительной загрузки его в ОЗУ (eXecute In Place – XIP) или уменьшения нагрузки на процессор при теневом хранении программного кода в ОЗУ.

Микросхемы 1,2-В серии W25QxxNE работают в диапазоне напряжений питания от 1,14 до 1,3 В, который идеально подходит для устройств с ультранизким потреблением. Микросхемы серии W25QxxND имеют более широкий диапазон напряжений питания – от 1,14 до 1,6 В, что обеспечивает длительную работу портативных устройств от батарей, даже когда напряжение на них снижается до минимального уровня в 1,14 В. Ультранизкое потребление микросхем серии W25QxxNE в активном и дежурном режиме дает возможность увеличить срок службы батарей или снизить их габариты и вес.

Новые серии микросхем флеш-памяти поставляются в компактных корпусах USON-8 (2 x 3 мм), SOP-8 (150 mil), WSON-8 (6 x 5 мм), а также в виде кристаллов. Рабочая тактовая частота микросхем составляет 104 МГц, передачу последовательных данных обеспечивает стандартный (Single) SPI-интерфейс, Dual SPI-интерфейс с удвоенной производительностью, Quad SPI-интерфейс с учетверенной производительностью, а также QPI-интерфейс (Quad Peripheral Interface).

В микросхемах серий W25QxxNE и W25QxxND семейства SpiFlash реализованы усовершенствованные функции защиты, в частности:
  • программная и аппаратная защита от записи данных;
  • уникальный 64-разрядный идентификатор для каждой микросхемы;
  • регистр поддающихся обнаружению параметров (Seriel Flash Discoverable Parameters – SFDP);
  • регистры безопасности (3 х 256-байт) с защитой OTP;
  • энергонезависимые и энергозависимые биты регистра состояния.

Новые серии микросхем флеш-памяти семейства SpiFlash со сверхнизким напряжением питания позволяют сэкономить место на печатной плате, снизить стоимость устройства и упростить схемное решение для системы питания. Например, вместо сложных ИС управления питанием можно использовать более простые и компактные LDO-стабилизаторы. Кроме того, при более низком напряжении питания уменьшаются наводки на проводники, соединяющие флеш-память и процессор. Это позволяет снизить требования к экранированию, улучшить характеристики чувствительных к помехам элементам схемы и дополнительно уменьшить габариты печатной платы.

Ключевые особенности микросхем W25QxxNE и W25QxxND:
  • диапазон напряжений питания: 1,14 – 1,3 В (для W25QxxNE), 1,14 – 1,6 В (для W25QxxND);
  • ток потребления в активном режиме 2 мА;
  • ток потребления в режиме пониженного потребления менее 0,5 мкА;
  • рабочий диапазон температур от –40 до 85°C;
  • гибкая архитектура: стираемые секторы малой емкости (4 кБайт);
  • стираемые блоки емкостью 32 или 64 кБайт;
  • программирование одновременно до 256 байт;
  • приостановка и возобновление стирания/записи;
  • интерфейсы Single SPI, Dual SPI, Quad SPI и QPI;
  • тактовая частота 104 МГц, поддерживающая скорость передачи данных до 52 Мбайт/с;
  • компактные 8-выводные корпуса SOIC 150mil, USON8 (2 х 3 мм), WLCSP, возможность поставки микросхем в виде кристаллов.

Первым устройством в семействе W25QxxNE стала микросхема флеш-памяти емкостью 8 Мбит W25Q80NE, образцы которой доступны для заказа. Серийное производство этих микросхем намечено на начало 2018 года. Другие модели нового семейства емкостью от 1 до 128 Мбит появятся на рынке позднее.
Konkur Electric
197342, г. Санкт-Петербург,
ул. Торжковская, д.5,
офис 314А (БЦ Оптима)
Copyright © ООО «Конкур электрик» - электромеханические, электронные и системные компоненты, термопринтеры, сенсорные экраны, touch screen
Частичное или полное копирование материала, размещенного на сайте, без согласия ООО «Конкур электрик» запрещено.

Политика конфиденциальности
Согласие на обработку персональных данных
Политика использования файлов cookie
Поиск электронных компонентов Поиск электронных компонентов